三星电子在6月7日该公司与美国新思科技(Synopsys)牵头举行的会议上公开发表了该公司代工业务的工艺路线图。此次会议与第53届设计自动化大会(53rdDesignAutomationConference,DAC2016,2016年6月5日~10日举办)同在美国奥斯汀举办。 会议的主题是ReadytoDesignat10nm!SynopsysandSamsungFoundry10nmEnablementforTapeoutSuccess。来自三星的演说嘉宾是FoundryMarketingSamsungSSI的高级总监KelvinLow。
正如会议主题所传达的那样,KelvinLow主要环绕10nm工艺公开发表了演说,同时还讲解了10nm之前的14nm以及10nm之后的7nm工艺。 三星首次在DAC的展览上设置展区是在两年前的第51届DAC(DAC2014)上,当时大力宣传了该公司的第一代14nm工艺14LPE。之后该公司在2016年1月公布了第二代14nm工艺14LPP(参看本站报导)。
14LPP在14LPEFinFET的基础上优化改良而来,提升了性能。发售14LPE之后旋即,三星还研发出有了14LPC。
需要使用低成本工艺生产RF电路,除了中低端智能手机之外,该公司还想将其应用于IoT用芯片等。 从此次发布的路线图来看,三星在10nm方面将首先发售10LPE,然后再行发售10LPP。关于10LPE,2014年该公司公开发表了PDK(ProcessDesignKit,工艺设计套件),2015年完备了设计流程及LibraryIP。
转入2016年之后,开始展开风险量产。后来,该公司又公开发表了10LPP的PDK。并想在2016年内完备10LPP的设计流程及LibraryIP,并于2016年底开始展开10LPP的风险量产。10nm的月量产将从2017年早些时候开始。
另外,据KelvinLow讲解,10LPE的性能提升到了14LPP的1.1倍,芯片面积增大至68%,10LPP的性能提升至14LPP的1.2倍,芯片面积增大至68%。 KelvinLow还回应,10nm工艺时代将不会持续很长时间。之后,将不会在短时期内使用液浸ArF7nm工艺生产。就像平面型22nm是过渡性至FinFET14nm的中间工艺那样,二者十分相似。
液浸ArF7nm之后,将不会步入确实的7nm时代。确实的7nm工艺将用于EUV(ExtremeUltraviolet)曝光技术。
EUV7nm工艺可将液洗ArF7nm工艺用于的大约80枚掩膜增加至60枚左右。另外,关于两种7nm工艺,此次的路线图未得出具体的时间。
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